Каким образом формируются п-тип и н-тип полупроводники?
П-тип и н-тип полупроводники формируются путем процесса допирования, который заключается в контролируемом введении примесей в чистый полупроводник.
При формировании п-типа полупроводника, в полупроводник вводятся примеси, содержащие атомы с три валентными электронами, такие как бор или галлий. Эти примеси называются акцепторами. При введении акцепторов, они замещают атомы основного материала полупроводника и создают дефекты с вакансиями электронов. Когда электрон заполняет такую вакансию, образуется связь соседнего атома, но остается лишний «дырочный» заряд. Эти «дырки» ведут себя как положительные заряды и создают электрическую проводимость типа «дырочного» носителя заряда.
Н-тип полупроводник формируется путем введения примесей, содержащих атомы с пятью валентными электронами, таких как фосфор или арсен. Эти примеси называются донорами. При введении доноров, они замещают атомы основного материала полупроводника и создают избыточные электроны, которые становятся донорными носителями заряда. Эти дополнительные электроны увеличивают электрическую проводимость типа «электронного» носителя заряда.
Таким образом, путем введения примесей, содержащих атомы с трех или пяти валентными электронами, формируются п-тип и н-тип полупроводники соответственно. Эти допированные полупроводники имеют различные электроны и, следовательно, различные типы проводимости.