Какой тип проводимости будет у кристалла кремния, если в качестве примеси использовать бор?

Если в качестве примеси в кристалле кремния использовать бор, то такой материал будет иметь «p-тип» (от английского «positive») проводимости. При допировании кремния бором происходит внедрение атомов бора, которые обладают на один электрон меньше, чем кремний. Это создает свободную дырку в валентной зоне материала.

В результате, уровень примесных энергий (уровень Ферми) смещается ближе к валентной зоне, создавая «дырочную» (p-тип) проводимость. Свободные дырки в материале могут двигаться под действием электрического поля и служить носителями положительного заряда.

Таким образом, кристалл кремния, допированный бором, будет обладать «p-типом» проводимости, где свободные дырки будут основными носителями заряда, а электроны будут играть вспомогательную роль. Это позволяет создавать p-n-переходы и другие электронные компоненты, такие как диоды и транзисторы, которые широко используются в полупроводниковой электронике.